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公司介紹

專業分銷BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半導體碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本半導體單管IGBT,BASiC基本半導體IGBT模塊,BASiC基本半導體三電平IGBT模塊,BASiC基本半導體I型三電平IGBT模塊,BASiC基本半導體T型三電平IGBT模塊,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊,單通道隔離驅動芯片BTD5350,雙通道隔離驅動芯片BTD21520,單通道隔離驅動芯片(帶VCE保護)BTD3011,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT三電平模塊應用于光伏逆變器,雙向AC-DC電源,戶用光伏逆變器,戶用光儲一體機,儲能變流器,儲能PCS,雙向LLC電源模塊,儲能PCS-Buck-Boost電路,光儲一體機,PCS雙向變流器,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領域。


專業分銷基本半導體全碳化硅MOSFET模塊,Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊,62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊,Full SiC Module,SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁,V2G充電樁,高壓柔性直流輸電智能電網(HVDC),空調熱泵驅動,機車輔助電源,儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機,超高頻伺服驅動器,高速電機變頻器等. 光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module-光伏MPPT,PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓撲逆變模塊。儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,光儲碳化硅MOSFET。


基本半導體再度亮相全球最大功率半導體展會——PCIM Europe 2023,在德國紐倫堡正式發布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代產品性能大幅提升,產品類型進一步豐富,助力新能源汽車、直流快充、光伏儲能、工業電源、通信電源等行業實現更為出色的能源效率和應用可靠性。


碳化硅MOSFET具有優秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領域最受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件,可提高功率回路開關頻率,提升系統效率及功率密度,降低系統綜合成本。


基本半導體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發,比上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產品基礎上,基本半導體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件,以更好地滿足客戶需求。


基本半導體第二代碳化硅MOSFET亮點

更低比導通電阻:第二代碳化硅MOSFET通過綜合優化芯片設計方案,比導通電阻降低約40%,產品性能顯著提升。


更低器件開關損耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%,開關損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低,提高器件的抗干擾能力,降低器件在串擾行為下誤導通的風險。


更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通過更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,產品可靠性表現出色。


更高工作結溫:第二代碳化硅MOSFET工作結溫達到175°C,提高器件高溫工作能力。


基本半導體第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H,B2M065120Z,B2M065120R,B2M040120H,B2M040120Z,B2M040120R,B2M035120YP,B2M020120H,B2M020120Z,B2M020120R,B2M1000170H,B2M1000170Z,B2M1000170R,B2M0242000Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊,半橋SiC MOSFET模塊,ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,T型三電平模塊,MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。

B2M030120Z國產替代英飛凌IMZA120R030M1H,安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。

B2M0242000Z國產替代英飛凌IMYH200R024M1H。

B2M035120YP,B2M040120Z國產替代英飛凌IMZA120R040M1H,安森美NTH4L040N120M3S,NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K。

B2M020120Z國產替代英飛凌IMZA120R020M1H,安森美NTH4L020N120SC1,NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K。

B2M1000170R國產代替英飛凌IMBF170R1K0M1,安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。

B2M065120H國產代替安森美NTHL070N120M3S。

B2M065120Z國產代替英飛凌IMZ120R060M1H,安森美NVH4L070N120M3S以及C3M0075120K-A


NPC(Neutral Point Clamped)三電平拓撲結構是一種應用為廣泛的多電平拓撲結構。近年來隨著電力電子技術在電力行業的發展,NPC三電平技術開始越來越多的應用到各個領域,包括光伏逆變器、風電變流器、高壓變頻器、UPS、APF/SVG、高頻電源等都有著廣泛的應用。NPC拓撲常用的有兩種結構,就是我們常說的“I”字型(也稱NPC1)和“T”字型(也稱NPC2、MNPC、TNPC、NPP等)。另外ANPC也是一種NPC1的改進型,這些年隨著器件的發展,ANPC也開始有一些適合的應用。


在分時電價完善、峰谷電價差拉大、限電事件頻發等多重因素驅動下,工商業儲能的經濟性明顯提升。工商業儲能是用戶側儲能系統的主要類型之一,可以大化提升光伏自發自用率,降低工商業業主的電費開支,助力企業節能減排。

工商業儲能裝機有望在政策鼓勵、限電刺激、電價改革等利好因素刺激下進入高速增長期,復合增速有望持續飆升。 


詳細信息

公司名稱: 上海保迪增浩國際貿易有限公司
所在地: 上海
注冊資本: 未填寫
資料認證:
保證金: 已繳納 0.00
經營范圍: 上海SiC碳化硅MOSFET,國產碳化硅SiC MOSFET,碳化硅SiC MOSFET國產替代,上海儲能變流器PCS三電平碳化硅SiC MOSFET模塊,上海T型三電平碳化硅模塊,上海ANPC三電平碳化硅模塊,上海國產碳化硅SiC MOSFET,國產替代,上海光伏MPPT碳化硅SiC MOSFET,上海OBC碳化硅SiC MOSFET,上海充電樁電源碳化硅SiC MOSFET,充電樁電源碳化硅SiC MOSFET模塊,隔離驅動IC,62mm碳化硅SiC MOSFET模塊,半橋碳化硅S
主營行業: 電工電氣
公司類型: 企業單位 ()
公司規模:
注冊年份: 2012
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